
陈长鑫,教授、博导。2007年博士毕业于上海交通大学微电子学与固体电子学专业,毕业后留校任教,2012年初至2014年底在斯坦福大学美国国家科学院院士/中国科学院外籍院士Hongjie Dai(戴宏杰)教授研究组作博士后,目前为上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系教授。主要研究方向是纳米光电和电子器件及材料,长期从事石墨烯纳米带、碳纳米管和新型二维材料的光电和电子器件、特性调控、组装操纵和制备等研究。相关论文发表在Nature、Nature Electronics、Nature Photonics、Advanced Materials、Nano Energy、NPG Asia Materials、Small、Nature Communications、ACS Applied Materials & Interfaces、Nano Research、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions等学术期刊上,被Advanced Materials、Small、Nano Research、Nanoscale Advances、Applied Physics Letters、IEEE Transactions on Nanotechnology、Nanomaterials等期刊多次选为“封面文章”。其入选国家万人计划科技创新领军人才、教育部青年changjiang学者、国家优青、全国优秀博士学位论文奖、教育部霍英东青年教师基金奖励、教育部新世纪优秀人才等。