院系/所/中心（School）

信息科学技术学院微纳电子学系、人工智能研究院、

合作导师（Mentor）

黄如院士

研究专业/方向（Department/Area）

新型存储器，存内计算，机器学习

年薪标准（Annual Salary）

1.基本待遇（包括五险一金、博士后住房补贴、博士后公寓等）按北京大学博士后流动站相关规定执行；根据北京市博士后管理政策办理有关落户事宜。

2.视申请人背景将提供不低于25万的年薪，并视每年度工作完成情况提供科研奖励津贴。符合条件并申请成功国家“博新计划”等博士后项目或北京大学“博雅博士后”项目者，另享相关待遇；在站期间取得的学术成果享受学校相关奖励政策。

职位描述（Position Description）

在黄如院士、孙仲研究员课题组全职从事基于阻变存储器（忆阻器）的存内计算方面的研究，探索器件、电路在新型计算范式的应用，如机器学习、类脑计算、代数问题求解等。

候选人基本条件（Basic Qualifications）

1.在国内外知名高校或研究所获得材料、微电子、电子工程等相关专业博士学位；

2.年龄在35周岁以下，获得博士学位不超过3年；

3.具有良好的英语读写能力，近三年内在相关领域权威期刊或顶级会议发表过第一作者研究论文至少1篇；

4.热爱科研，有自己的职业目标，踏实肯干，有责任心和团队合作精神；

候选人附加条件(Additional Qualifications)

你将从事以下工作中的若干项：

忆阻器电路和数学模型的互映射；（你可能需要具备扎实的数理基础）

制备阻变存储器；

阻变存储器的电学性能测试；器件建模；

开展PCB电路实验和模拟电路仿真。

申请材料

(Applicant Documents）

申请人简历及能体现个人能力的相关资料(包括但不限于个人情况、教育经历、研究经历、科研能力、技术背景、代表性论文、论文成果目录等)。

联系人

（Contact Information）

孙仲（办公电话：010-62750967；邮件地址：zhong.sun@pku.edu.cn，邮件标题注明：应聘某某岗位+本人姓名+高校人才网。）

备注（Remark）

初选通过后，邮件通知候选人；申请材料恕不退回。

截止时间（DueDate）

欢迎申请，长期有效，招满为止。