院系/所/中心（School）

北京大学信息科学技术学院/电子学系/物理电子学研究所

合作导师（Mentor）

魏贤龙研究员，2009年获北京大学博士学位，之后赴日本国立材料研究所工作并先后任博士后和独立研究员，2012年作为“百人计划”研究员加入北京大学，2018年任北京大学长聘副教授，目前主要从事片上电子源及片上真空电子器件的研究。

研究组主页：http://scholar.pku.edu.cn/xlwei

研究专业/方向（Department/Area）

1. 片上电子源；

2．片上X射线源等片上真空电子器件；

年薪标准（Annual Salary）

1. 工资及福利待遇按国家博士后相关规定，基本年薪不低于9万/年；

2. 享受4.2万元/年的租房补贴或学校提供的博士后公寓（如果入选博雅/博新/国际交流引进计划）；

3. 符合条件者，享受国家、学校提供的福利性住房补贴1.512万元/年；

4. 享受各类保险、公积金(约2.74万元/年)和公费医疗；

5. 享受实验室项目补贴，不低于3万/年，工作业绩优秀者同时给予项目奖励。

6. 鼓励申请北京大学博雅博士后，按学校的待遇标准“博雅”博士后基本年薪不低于27万/年。详见北大博士后网站：

http://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/59727.htm

职位描述（Position Description）

1. 负责片上电子源和片上真空电子器件的设计、加工和测试等工作。

2. 协助进行项目申请、立项、结题工作。

3. 完成合作导师指定的其他科研工作。

候选人基本条件（Basic Qualifications）

1. 博士学位获得者，毕业3年以内，年龄35岁以下。

2. 能够全职从事博士后研究工作。

3. 具有强烈的责任心，具备良好的沟通能力和很强的团队合作精神，勤奋努力且有志于从事学术研究工作。

候选人附加条件(Additional Qualifications)

希望具有物理电子和微电子的专业背景，从事过微纳电子器件、真空电子器件和MEMS方向研究者优先考虑。

申请材料（Applicant Documents）

应聘者需要提交以下相关材料：

（1）个人简历和求职陈述信。

（2）5篇以内的代表性学术论文全文。

（3）已取得博士学位者需提供学位证书扫描件。

（4）两封专家（副高以上职称）推荐信。

（5）博士后研究设想与工作计划。

联系人（Contact Information）

姓名：魏贤龙；电话：010-62755317

邮件地址：weixl@pku.edu.cn

备注（Remark）

1.应聘者请将申请材料发至联系人信箱，邮件标题注明：应聘博士后+姓名+高校人才网。

2.初选通过后，邮件通知候选人；申请材料恕不退回。

截止时间（Due Date）

长期有效